半导体金属多晶型二维（2D）压印技术的研究进展是怎样的？

接下来，2L ReS上1D范围内的间有位平面样式化2（凹凸不平方式也）展开，而侧重 e–颇高能量在选定的方形范围内以此类推打印。平面图2a和平面图S2推测了在e下热带植物的STEM平面图形的周内变化–凹凸不平方式也下的颇高能量紫外线，揭露范围内为 ≈20 × 20 nm，实质上遮盖辨别范围内。

最初，e–颇高能量主要归因于由百货公司振荡归因于的S（白色六边形）氧原子而会，预示着一些Re（橙色六边形）而会。

运动低速数学分析方（DFT）计算结果解释了百货公司振荡是颇高能E下对单层样品的初级颇高能量振荡–辐射归因于氧原子而会。

S而会（单而会和双而会）的形成日光能及其间有关的偏移阈值能（Td） 的 1L ReS2通过DFT计算推测，如平面图2b和表S1（支持数据）表。单个 S-3 空出（平面图 2b）的 T 小于d5.88 （± 1.04） eV，与其他单双S空出（>6.29±1.04 eV）间有比要低得多。

它确实S-3而会是最容易用间有应的高压电子元件束阈值日光能（Ee） 的 79.7 ± 13.3 keV。并不一定的，1L ReS2内部结构坚固，可不必要单层由于扩展缺点（例如，双而会或较大缺点）的形成而坍塌。

遵循与 1L ReS 间有同的策略平面样式化，我们还意味着了1D和2D e–1L ReSe上的颇高能量间有位平面样式2，如平面图 S11表。与T''间有间有比 1L ReSe2，在间有同的应对作应用于间有变下，T间有的水分子比值在检验过程中的收缩了≈15–18%。

因此，精准的 e–颇高能量间有位平面样式化作法最也许，这是一种适用范围于许多2D材质的常用系统另行设计。

除了均匀间有域中的的间有变之外，平面样式化作法还运应用于晶界（GB）的 T'' 前期 ReS2单层。带隙中的普遍共存的深层能态在自由空间上座落在ReS的GBs中的2单层会引起费米能级固定并大大下降GB相互间的自由高压电子元件朗道。

因此，我们打算通过在GBs上系统会T''到T或T'间有位（晶圆到合金）的转换来消除针脚水平，以强化GB相互间的自由高压电子元件传输物理性质。ReS 中的的的现代 GB2如平面图3a表，单层在氧原子上是尖锐的，具备马蹄形弧度，其中的T间有原则上出现在e下的两个晶粒相互间–2D 凹凸不平方式也下的颇高能量揭露。

该 e–颇高能量打印范围内为 ≈10 × 10 nm，遮盖 GB 范围内。因此，GB 一小（由平面图 3a 中的的黄色六边形标记）可以是 e–颇高能量在 1-2 个短剧 （UC） 窄到 2.5 UC 窄从 38 到 75 秒内平面样式化为 T 间有（平面图 3b，c），而平面图 3a 中的由深橙色六边形标记的 GB 一小也可以平面样式化为 T 间有，窄从 4 到 6 UC 从 121 增大到 167 s。

周内 e–颇高能量揭露扩大了GB上变换后的T间有的范围，正如预期的那样，在T间有最终引入GB一处的零碎T''间有后，强化了GB上的自由高压电子元件传输物理性质。因此，我们转移了 2D ReS2片状到原位TEM闪存（Protochips Fusion）上，如平面图3f表，其中的白色容线突出推测了ReS大块的轮廓2单层片状。

它推测了之外 1L ReS 的高压电路2在成对的高压电极相互间用GB的薄片。侧重后 e–颇高能量打印在黄色容线框（平面图3f）的GB范围内，两个高压电极相互间的量值惟有渐增大十倍，从配对高压电极的高压电流 - 高压电路（I-V）响应中的加载。

该 e–在这种实质上，由于打印范围内较大，颇高能量打印时间延长。因此 e–颇高能量合金间有平面样式可以作为2D晶圆的颇高效，精准的GB工程项目甚至一般缺点工程项目系统另行设计。

除了侧重的 e–颇高能量揭露作法，我们还探险了翻转直线颇高能量揭露以展开间有位平面样式化，如在更大时间尺度上通过选定范围高压电子元件衍射（SAED）监测的那样。

选用 TEM 方式也下的 200 kV 高压电子元件束在 2.0 μm 的 3D 范围内内转换 T'' 间有2踏入 1L ReS 的 T/T' 前期。并联e的可行性研究工作–颇高能量反映了 E 的翻转实用价值–颇高能量作法。

SAED 方式也如平面图 4b 表。各向异性衍射平面图惟有渐彻底改变为各向同性，由于水分子应对变化导致反射模糊不清。突出推测了 （110） g formula_，推测水分子比值在 e 下降低了 9–12%–颇高能量从54到270 s，与过渡前期到T / T'间有后的水分子变化保持一致。

这个直线的e–颇高能量揭露策略准许在更大的范围内展开更颇高通量的间有位平面样式化，通过侧重E补充颇高清晰度间有位平面样式化–梁。

方高压电子元件间隙内部结构（平面图1b-d）明确地确实，1L ReS的T和T'间有位2两者都是合金的，与应对状况无关。我们进一步展开了原位TEM-STM检验。

暂时性测量另行平面样式化的 T/T' 间有的量值率。在并行过程中的–1L ReS 上的颇高能量揭露，操控原位钨STM尖端以与转换成的T/T'间有范围内展开带入，并按顺序排列详细描述I-V信号。

与我们在此之前的工作类似，钨 （W） 尖端与 1L-ReS 相互间的带入2通过多次和可以此类推的IV测试者保证样品的机械平稳性，以持续保持恒定的带入范围内。

因此，测得的量值率实际上反映了高压电子元件暂时性量值的发端，在 E 内–颇高能量渗透到范围内。与另行T间有的的现代高压电带入结果间有比，高压电子元件的量值率祚着提颇高了十倍e–颇高能量揭露54秒，然后在揭露37秒后增大到270倍。

尽管还有其他因素，之外可能对高压电高压电子元件归因于实际上影响的缺点正常或应对，但渗透到在高压电高压电子元件下的范围内–这里的颇高能量成比例 STM 尖端和 ReS 相互间的确切带入范围，多半而会缺点倾向于下降而不是强化 2D 高压电子元件元件的量值率。

因此，我们间有信在我们的检验中的，总量值惟有渐增大，因为更大的T间有范围由e–颇高能量揭露。总体而言，T间有的合金性质可以合理化祚着增强的量值。贯穿整个原位TEM-STM工艺，1L ReS的完整性和平稳性。

根据恩斯特··哈耶克的应对特有种，对于单层ReS2试样中的，应对可分为两一小，之外减小矢量和剪切矢量。暂时性应对涵水力不变和暂时性剪切应对不变分别描述减小和剪切矢量，以计量据信参考态对角氧原子内部结构（T间有）中的的应对特有种。因此，二维材质中的的减小氧原子暂时性应对可以表示为：

份额不变性为：

对于氧原子 i 的每个间有邻氧原子 j，M我是变换线性 J 与其转置线性的叉积之和。六个不太可能邻氧原子被视为j，应用于1T间有ReS的每个氧原子i的应对计算2和 d0是一个比值，取决于对角参考颗粒中的两个氧原子的最少距离。

GPA 应对分析（在颇高质量HAADF平面图形上）分别以竖直a轴承和b轴承的反射（在倒数自由空间中的）作为两个底。GPA分析清晰度分设为0.3–0.4 nm，平滑因子分设为7.0。

我们事实证明一种侧重高压电子元件束平面样式化系统另行设计，可以以氧原子级清晰度在晶圆T''间有ReS上的晶域和边界上另行设计从1D线到2D凹凸不平的合金T或T'间有2和ReSe2单层。

经过像差校正后，该系统另行设计只能缺少颇高达亚埃时间尺度的全然平面样式清晰度，并在间有位平面可视化范围内上归因于几个到大约100激日光的特质体积，比传统模版系统另行设计大了几个数量级。

这种自如的平面样式化状况准许高压电子元件束的日光能范围内为60至200千高压电子元件伏特，而不会导致材质坍塌，从而促进了激日光级晶界工程项目和高压电带入工程项目等进一步运用。此之外，高压电子元件束的操作低速原则上比传统的打印探针全像（SPM）系统另行设计很慢，可以应用于惟有氧原子的模版或示例。

高压电子元件束的体积和口服可以在侧重方式也和直线方式也下笨拙调整，而直线方式也缺少低速快的平面样式化低速。该高压电子元件束作应用于的发出声音和面内应对抑制的合金-晶圆间有平面样式化系统另行设计为意味着氧原子级内部结构缺少了有力的工具，倡导了激日光系统另行设计的未来的发展。

参考记事献：

H.J. Levinson，T. A. Brunner, lnternational Society for Optics and Photonics 2018，108091080903

W. H. Cheng，J. Farnsworth,International Society for Optics and Photonics 2007，6607660724.

P.S.Kollipara， J.Li, Y.Zheng， Research 2020， 6581250.PubMed Google Scholar